FDD86102LZ MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Famaritana fohy:

Mpanamboatra: ON Semiconductor
Sokajy vokatra: Transistor - FET, MOSFET - tokana
Takela-daza:Sary FDD86102LZ
Famaritana: MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
Sata RoHS: Mifanaraka amin'ny RoHS

Alefaso mailaka aminay

Product Detail

Tags vokatra

♠ Famaritana ny vokatra

Atributo del producto	Valor de atributo
Fabricante:	onsemi
Sokajy vokatra:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Teknolojia:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3
Polaridad ny transistor:	N-fantsona
Isan'ny canales:	1 fantsona
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	42 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	31 mhm
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	26 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo maxima:	+ 150 C
Dp - Dispación de potencia :	54 W
Lakandrano Modo:	hatsarana
Nombre ara-barotra:	PowerTrench
Empaquetado:	Nisangodingodina
Empaquetado:	Tapaho ny kasety
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi / Fairchild
Configuration:	MITAIZA IRERY NY
Transconductancia hacia delante - Mín.:	31 S
Altura:	2,39 mm
Longitud:	6,73 mm
Ny vokatra:	MOSFET
Série:	Sary FDD86102LZ
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	MOSFETs
Ny karazana transistor:	1 N-fantsona
Ancho:	6,22 mm
Peso de la unidad:	0,011640 oz