Karazana chip fahatsiarovana ferroelectric vaovao mifototra amin'ny hafnium novolavolaina sy novolavolain'i Liu Ming, Academician ao amin'ny Institute of Microelectronics, dia naseho tao amin'ny IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) tamin'ny 2023, ny ambaratonga ambony indrindra amin'ny famolavolana circuit circuit.
Ny fitadidiana tsy miovaova (eNVM) avo lenta dia mitaky ny chips SOC amin'ny elektronika mpanjifa, fiara tsy miankina, fanaraha-maso indostrialy ary fitaovana edge ho an'ny Internet of Things.Ny fitadidiana ferroelectric (FeRAM) dia manana tombony amin'ny fahamendrehana avo lenta, ny fanjifana herinaratra faran'izay ambany ary ny hafainganam-pandeha ambony.Ampiasaina betsaka amin'ny firaketana angon-drakitra betsaka amin'ny fotoana tena izy, famakiana sy fanoratana angon-drakitra matetika, fanjifana herinaratra ambany ary vokatra SoC/SiP tafiditra.Ny fitadidiana ferroelectric mifototra amin'ny fitaovana PZT dia nahatratra ny famokarana faobe, fa ny fitaovana dia tsy mifanaraka amin'ny teknolojia CMOS ary sarotra ny mihena, izay mitarika ho amin'ny fivoaran'ny fahatsiarovana ferroelectric nentim-paharazana dia voasakantsakana mafy, ary ny fampidirana tafiditra dia mila fanohanana andalana famokarana misaraka, sarotra ny mampalaza. amin'ny ambaratonga lehibe.Ny fahaizan'ny fitadidiana ferroelectric vaovao mifototra amin'ny hafnium sy ny fampifanarahana amin'ny teknolojia CMOS dia mahatonga azy io ho toeram-pikarohana mampanahy matetika amin'ny akademia sy ny indostria.Ny fitadidiana ferroelectric mifototra amin'ny Hafnium dia noheverina ho tari-dàlana lehibe amin'ny fampandrosoana ny fahatsiarovan'ny taranaka manaraka.Amin'izao fotoana izao, ny fikarohana momba ny fahatsiarovana ferroelectric mifototra amin'ny hafnium dia mbola manana olana toy ny tsy fahampian'ny fahatokisana ny vondrona, ny tsy fahampian'ny famolavolana chip miaraka amin'ny circuit periferika feno, ary ny fanamarinana bebe kokoa ny fahombiazan'ny chip, izay mametra ny fampiharana azy amin'ny eNVM.
Ny tanjona amin'ny fanamby atrehin'ny fahatsiarovana ferroelectric mifototra amin'ny hafnium, ny ekipan'ny Akademia Liu Ming avy ao amin'ny Institute of Microelectronics dia namolavola sy nampihatra ny chip fitsapana FeRAM megab-magnitude voalohany eto amin'izao tontolo izao mifototra amin'ny sehatra fampidirana midadasika. ny fahatsiarovana ferroelectric mifototra amin'ny hafnium mifanaraka amin'ny CMOS, ary nahavita soa aman-tsara ny fampidirana midadasika ny HZO ferroelectric capacitor amin'ny 130nm CMOS dingana.Ny ECC-ampian'ny fanoratana fiara faritra ho an'ny mari-pana sy ny saro-pady fanamafisam-peo ho an'ny automatique fanafoanana dia atolotra, ary 1012 cycle mateza sy 7ns manoratra ary 5ns mamaky ny fotoana dia tratra, izay ny tsara indrindra notaterina hatreto.
Ny taratasy "FeRAM 9-Mb HZO mifototra amin'ny Embedded 1012-Cycle Endurance ary 5/7ns Mamaky/Manoratra mampiasa ECC-Assisted Data Refresh" dia mifototra amin'ny valiny ary ny Offset-Canceled Sense Amplifier "dia nofantenana tao amin'ny ISSCC 2023, ary ny puce dia nofantenana tao amin'ny ISSCC Demo Session mba haseho amin'ny fihaonambe.I Yang Jianguo no mpanoratra voalohany an'ilay gazety, ary i Liu Ming no mpanoratra mifanaraka amin'izany.
Ny asa mifandraika amin'izany dia tohanan'ny National Natural Science Foundation of China, ny National Key Research and Development Program an'ny Ministeran'ny Siansa sy ny Teknolojia, ary ny B-Class Pilot Project an'ny Akademia Shinoa momba ny Siansa.
(Sarin'ny 9Mb Hafnium mifototra amin'ny kapila FeRAM sy fitsapana ny fahombiazan'ny chip)
Fotoana fandefasana: Apr-15-2023